보 유 기 술


 

CIGS


CIGS 박막 태양전지는 막 태양전지는 1~2 ㎛ 두께(결정질실리콘 태양전지 두께의 1/100)의 박막을 광흡수층으로 사용하기 때문에 원재료 소모가 적으며, 유리, 스테인리스 스틸, 금속, 플라스틱, 세라믹 등 기판에 대한 제한이 없고, flexible 기판도 가능하기 때문에 기존의 실리콘을 이용하는 태양전지에 비해 제조단가를 크게 낮출 수 있는 장점을 갖고 있다

현재 CIGS 박막 태양전지는 제조시 evaporation 방법으로 CIGS 박막을 증착하는데, evaporation 방법은 초고진공(~10-7 Torr)이 필요하며, 재료 소모가 많아 제조단가가 높고, 대면적 구현이 어려워 현재까지 양산에 많은 장애를 갖고 있어 이를 해결할 수 있는 새로운 CIGS 박막 제조방법의 개발이 필요한 상태이다

반면 메카로 에너지의  화학기상증착법(CVD)은 저진공(10-2 ~ 10-3 Torr) 상태에서 증착 가능한 장점이 있으며, evaporator에 비해 재료 소모가 매우 적어 제조단가를 낮추는데 크게 기여할 수 있다. 또한, 화학기상증착법의 고유 특성인 대면적화, 뛰어난 품질의 박막, 장치의 단순화를 구현할 수 있는 장점을 갖고 있다.